| NSub | = | 6.5x1014 cm -3 |
| tSi | = | 10 nm |
| Lg | = | 25 nm |
| tBOX | = | 145 nm |
| VG | = | 1 V |
Transistors avec substrat standard
Le transistor SOI UTB de 25 nm de grille
Mise � jour du 30 Octobre 2008
Influence du potentiel de Substrat
| Vd = 20 mV | Vd = 1V |
| VSub = -3V, VSub = 0.5V, VSub = +3V, | VSub = -3V, VSub = 0.5V, VSub = +3V, |
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Modification du potentiel dans la structure en fonction du potentiel de Substrat. Le potentiel de drain a plus d'influence sur le substrat que n'en a la grille (�tendue plus grande). |
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Evolution de la concentration en porteur dans la structure en fonction du potentiel de Substrat A Vd = 1.0 V, on remarque que pour Vsub # 0.5 V l'�tat du substrat est d�fini par morceaux (accumulation c�t� drain et inversion c�t� source) Un canal arri�re avec conduction par trous est obtenu pour Vsub = -3.0 V |
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Mise en �vidence de la transition inversion accumulation � potentiel de substrat Vsub = 0.5 V. On a accumulation sous la source, inversion sous le drain et une transition via depletion sous le canal. |
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Coupe verticale au milieu de la grille montrant l'�volution de la concentration en porteurs en fonction du potentiel de Substrat On obtient l'invertion de la densit� de porteurs pour un potentiel de substrat quasi-nul. Mais l'invertion de la densit� de porteurs � l'interface arri�re du film n'est pas atteinte. |
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Evolution de la densit� de courant totale (�lecrons majoritaires) en fonction du potentiel de Substrat. Pour Vd = 1V, le couplage drain/substrat modifie le potentiel � l'interface BOX/substrat (augmentation du potentiel), ce qui courbe les lignes de champ et induit une d�formation du canal de conduction avec la g�n�ration d'un canal arri�re localis� vers le drain (=> composante de conduction verticale dans le canal) |
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© St�phane BURIGNAT