Etude Large Bande de Transitors SOI à Film et BOX Ultra-fins
Utra-Thin Body and BOX : UTB 2
| NSub | = | 6.5x1014 cm -3 |
| tSi | = | 10 nm |
| Lg | = | 25 nm |
| tBOX | = | 11.5 nm |
| VG | = | 1 V |
Transistors avec substrat standard
Le transistor SOI UTB2 de 25 nm de grille
Mise à jour du 29 Octobre 2008
Influence des potentiels de Drain et de substrat
Vues générales présentant dans les conditions "transistor On", l'influence des potentiels de Drain et de substrat dans les cas particuliers relatifs aux conditions d'interface substrat (inversion, depletion et accumulation)
| Vd = 20 mV | Vd = 1V |
| VSub = -3V, VSub = 0.5V, VSub = +3V, | VSub = -3V, VSub = 0.5V, VSub = +3V, |
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Ligne 1 : Potentiel Ligne 2 : Concentration en électrons - On remarque l'état gradué du substrat pour Vd = 1V et VSub = 0.5V ! Ligne 3 : Courant de conduction dans le canal |
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Ligne 1 : Vecteurs champ électrique Ligne 2 : Vecteurs densité de courant totale Ligne 3 : Distribution du potentiel |
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© Stéphane BURIGNAT