Etude Large Bande de Transitors SOI à Film et BOX Ultra-fins

Utra-Thin Body and BOX : UTB 2

NSub= 6.5x1014 cm -3
tSi= 10 nm
Lg= 25 nm
tBOX= 11.5 nm
VG= 1 V

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Etude DC



Etude AC





Transistors avec substrat standard

Le transistor SOI UTB2 de 25 nm de grille

Etude dynamique - Excitation du Drain


Mise à jour du 5 Novembre 2008

Influence du potentiel de Substrat

Vd = 0.020 V
F6_25_Sub_6.5E14_Vg1.0V_Vsub0.0V_Vd0.020_AC_gd.png
Conductance et capacitance vue du drain (Exitation de 10mV sinusoidal sur le drain).


Vd = 1.0 V
F6_25_Sub_6.5E14_Vg1.0V_Vsub0.0V_Vd1.0V_AC_gd.png
Conductance et capacitance vue du drain (Exitation de 10mV sinusoidal sur le drain).


© Stéphane BURIGNAT