| NSub | = | 1018 cm -3 |
| tSi | = | 10 nm |
| Lg | = | 25 nm |
| tBOX | = | 145 nm |
| VG | = | 1 V |
- Longueur de grille de 250 nm
- Substrat Standard
- Substrat haute r�sistivit�
- Substrat faible r�sistivit�
- Longueur de grille de 25 nm
Transistors avec substrat faible r�sistivit�
Le transistor SOI UTB de 25 nm de grille
Mise � jour du 29 Octobre 2008
Influence des potentiels de Drain et de substrat
Vues g�n�rales pr�sentant dans les conditions "transistor On", l'influence des potentiels de Drain et de substrat dans les cas particuliers relatifs aux conditions d'interface substrat (inversion, depletion et accumulation)
| Vd = 20 mV | Vd = 1V |
| VSub = -3V, VSub = 0.5V, VSub = +3V, | VSub = -3V, VSub = 0.5V, VSub = +3V, |
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Ligne 1 : Potentiel Ligne 2 : Concentration en �lectrons Ligne 3 : Courant de conduction dans le canal |
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Ligne 1 : Vecteurs champ �lectrique Ligne 2 : Vecteurs densit� de courant totale Ligne 3 : Distribution du potentiel |
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© St�phane BURIGNAT