| NSub | = | 3x1012 cm -3 |
| tSi | = | 10 nm |
| Lg | = | 25 nm |
| tBOX | = | 145 nm |
| VG | = | 1 V |
- Longueur de grille de 250 nm
- Substrat Standard
- Substrat haute résistivité
- Substrat faible résistivité
- Longueur de grille de 25 nm
- Substrat Standard
Transistors avec substrat haute résistivité
Le transistor SOI UTB de 25 nm de grille
Mise à jour du 29 Octobre 2008
Influence des potentiels de Drain et de substrat
Vues générales présentant dans les conditions "transistor On", l'influence des potentiels de Drain et de substrat dans les cas particuliers relatifs aux conditions d'interface substrat (inversion, depletion et accumulation)
| Vd = 20 mV | Vd = 1V |
| VSub = -3V, VSub = 0.5V, VSub = +3V, | VSub = -3V, VSub = 0.5V, VSub = +3V, |
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Ligne 1 : Potentiel Ligne 2 : Concentration en électrons Ligne 3 : Courant de conduction dans le canal |
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Ligne 1 : Vecteurs champ électrique Ligne 2 : Vecteurs densité de courant totale Ligne 3 : Distribution du potentiel |
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© Stéphane BURIGNAT