Etude Large Bande de Transitors SOI à Film et BOX Ultra-fins
Utra-Thin Body and BOX : UTB 2
| NSub | = | 6.5x1014 cm -3 |
| tSi | = | 10 nm |
| Lg | = | 250 nm |
| tBOX | = | 11.5 nm |
| VG | = | 1 V |
Transistors avec substrat standard
Le transistor SOI UTB2 de 250 nm de grille
Etude dynamique - Excitation du Drain
Mise à jour du 5 Novembre 2008
Influence du potentiel de Substrat
| Vd = 0.020 V |
|
|
Conductance et capacitance vue du drain (Exitation de 10mV sinusoidal sur le drain). |
| Vd = 1.0 V |
|
|
Conductance et capacitance vue du drain (Exitation de 10mV sinusoidal sur le drain). |
© Stéphane BURIGNAT